Jakarta, 25 Mei 2018 – Minggu ini Samsung Foundry baru saja memperbaharui roadmap teknologi fabrikasi mereka, memperkenalkan jumlah perubahan dan mengumumkan detail pertama untuk proses produksi 3nm mereka yang masih beberapa tahun kedepan. Perusahaan ini juga merubah rencana mereka dalam memproduksi chip dengan menggunakan teknologi proses 7nm LPP dan extreme ultraviolet litography (EUVL) pada tahun ini.
Samsung mempercepat roadmap foundry mereka tidak hanya agar dapat bersaing dengan perusahaan lain, akan tetapi juga untuk memberikan SoC in-house mereka seperti Exynos agar mendapat keuntungan dalam proses teknologi dan menawarkan performa lebih tinggi dengan konsumsi daya lebih sedikit.
| Samsung Foundry Lithography Roadmap, HVM Start | ||||||||
| 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2022+ | |||
| 1H | 2H | 1H | 2H | 1H | 2H | |||
| 10LPP | 7LPP 8LPP 10LPU |
7LPP | 5LPE | 5LPE | 4LPE | 4LPP | 3GAAE 3GAAP |
|
Samsung juga menyatakan akan mengambil resiko dengan memproduksi jajaran chip mereka mengguakan 7LPP (7nm low power plus) dan alat EUVL pada tahun 2018. Sekarang yang masih belum diketahui adalah waktu kapan Samsung akan mulai memproduksi High-Volume Manufacturing (HVM) dari chip yang menggunakan teknologi ini dan perangkat ASML Twinscan NXE. Imbas dari besarnya biaya yang dikeluarkan untuk teknologi ini, perangkat yang dijual Samsung akan memiliki harga yang cukup tinggi. Tapi dengan siklus ini, kita dapat melihat smartphone Galaxy S generasi selanjutnya menggunakan teknologi ini. Samsung juga menyatakan bahwa chip yang menggunakan 7nm LPP akan siap pada Q2 2019, jadi kemungkinan besar kita tidak akan melihat perangkat baru Samsung menggunakan teknologi ini pada tahun 2018.
Tahun lalu Samsung juga menyatakan bahwa manufaktur 7LPP akan diikuti dengan 5LPP dan 6LPP pada 2019. Roadmap baru ini tidak menyebut kedua proses ini, melainkan menyebut 5LPE yang menjanjikan area scaling yang lebih baik dan keuntungan ultra-low power dibandingkan dengan 7LPP.
4LPE/4LPP Masih Mempertahankan FinFET
Samsung foundry juga memberikan rencana perusahaan untuk menggunakan teknologi fabrikasi yang lebih mutakhir pada beberapa tahun kedepan. Samsung telah memilih untuk tetap menggunakan transistor FinFET mereka. Tahun lalu Samsung berencana untuk memperkenalkan gate-all-round FET (GAAFET) untuk 4LPP node pada tahun 2020.
Samsung akan memiliki dua jenis proses teknologi 4 nm daripada satu – 4LPE dan 4LPP. Keduanya akan berdasarkan FinFET dan penggunaan transistor ini agar tetap menjaga kestabilan sistem.
3nm Menggunakan GAAFET
Proses teknologi yang paling mutakhir oleh Samsung adalah 3GAAE/GAAP. Keduanya akan bergantung kepada implementasi GAAFET oleh Samsung yang disebut oleh perusahaan ini sebagai MBCFET (multi-bridge-channel FET). Satu hal yang disebutkan, MBCFET telah mulai dikembangkan sejak tahun 2002, tapi membutuhkan waktu hingga 20 tahun agar dapat diimplementasikan, bahkan sebagai produk konsep.
MBCFET ditujukan agar Samsung dapat meningkatkan kerapatan transistor bersamaan dengan menurunkan konsumsi daya dan meningkatkan performa dari SoC. Sejak 3GAAE/GAAP masih 3 atau 4 generasi kedepannya, masih sedikit sulit untuk menentukan keuntungan dari transistor ini.
| Industry Lithography Roadmap, HVM Start | |||||||||||||
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 22+ | |||||||
| 1H | 2H | 1H | 2H | 1H | 2H | 1H | 2H | ||||||
| GF | 14LPP | 12HP | 12LP | 7nm DUV | 7nm EUV 1st Gen* |
7nm EUV 2nd Gen* |
? | ? | |||||
| Intel | 14nm+ | 14nm++ | 10 nm* | 10 nm+* | ? | ? | |||||||
| Samsung | 10LPE | 10LPP | 7LPP** 8LPP 10LPU* |
7LPP | 5LPE** | 5LPE | 4LPE* | 4LPP* | 3GAAE* 3GAAP* |
||||
| SMIC | 14 nm in development | ? | ? | ||||||||||
| TSMC | N10FF N16FFC |
N7FF N12FFC |
N12FFC N12ULP |
N7FF+ | N5FF | ? | ? | ||||||
| UMC | – | 14nm | no data | ||||||||||
