Penelitian IBM meluncurkan chip 2nm baru dengan teknologi nanosheet yang akan berfungsi sebagai dasar dari teknologi prosesor masa depan. IBM menampilkan 300mm penuh yang diproduksi pada proses lembar nano 2nm di Albany, New York. Teknologinya masih dalam tahap penelitian, sehingga belum memiliki chip yang dapat diproduksi, setidaknya dalam bentuknya yang sekarang.
IBM tidak lagi memproduksi prosesor secara massal, ini akan membantu mengembangkan teknologi untuk mitranya seperti Intel dan Samsung. Baru-baru ini diumumkan bahwa mereka akan meneliti node prosesor baru dan teknologi pengemasan dengan IBM sebagai bagian dari inisiatif IDM 2.0 barunya. Itu berarti chip 2nm masa depan Intel dapat didasarkan pada beberapa terobosan IBM dan ada banyak.
IBM mengklaim bahwa teknologi node prosesor baru akan meningkatkan kinerja sebesar 45% menggunakan jumlah daya yang sama atau daya 75% lebih sedikit, sambil mempertahankan kinerja yang sama seperti prosesor 7nm saat ini. IBM mengatakan chip baru akan menampilkan hingga 50 miliar transistor dalam sebuah chip seukuran kuku tetapi belum memberikan metrik kepadatan transistor, yang akan memberi kita gambaran yang lebih baik tentang bagaimana kepadatan dibandingkan dengan chip modern lainnya.
Desain baru IBM terdiri dari 3 lembar nano silikom horizontal bertumpuk, dengan setiap lembar nano yang dikelilingi oleh Gate All Around (GAA). GAA ini mengurangi kebocoran tegangan yang mencegah pemadaman transistor. Ini menjadi masalah karena transistor menyusut bahkan ketika gate mengelilingi saluran di tiga sisi dengan transistor FinFET.
IBM telah membuat beberapa langkah penting lainnya ke depan dengan teknologi, termasuk Isolasi Dielektrik Bawah pertama di industri untuk menghilangkan arus bocor dari nanosheet pertama dalam tumpukan, memungkinkan panjang gate 12nm. IBM tidak membagikan rincian lebih lanjut tentang bahan yang digunakannya dalam prosesor 2nm, seperti jika menggunakan silikon germanium, tetapi perusahaan tersebut mengatakan akan membagikan lebih banyak detail nantinya.
Anehnya, IBM mengatakan bahwa ia menggunakan EUV eksposur tunggal di setiap lapisan kritis chip, termasuk FEOL, mengurangi kompleksitas dan meningkatkan hasil dibandingkan dengan multi-pola. Selain itu, IBM belum membagikan detail seputar SRAM, metrik kepadatan untuk berbagai perpustakaan sel, atau materi yang digunakannya untuk node 2nm. Jadi tunggu info selengkapnya nanti hanya di Pemmzchannel.
