SK Hynix baru saja mengumumkan penyelesaian pengembangan dari chip memori DDR4 terbarunya. Chip DRAM terbaru ini dibuat menggunakan teknologi fabrikasi kelas 10nm generasi kedua (1Ynm) dan memiliki beberapa peningkatan yang didesain untuk memperkecil ukuran die, mengurangi konsumsi daya, dan meningkatkan frekuensi.
Pada level tertinggi, chip 8Gb DDR4-3200 akan mengonsumsi daya 15% lebih sedikit dibandingkan DDR4-3200 generasi pertama. Proses dari peningkatan node ini berarti ukuran die yang dimiliki juga lebih kecil sekitar 20% yant juga akan membantu dalam mengurangi biaya produksi.
Awalnya, SK Hynix akan menggunakan teknologi 1Ynm untuk membuat memori yang ditargetkan ke PC server maupun client. Akan tetapi akhirnya teknologi ini dibawa ke memori LPDDR untuk perangkat mobile.
Sebagai tambahan untuk ukuran die yang lebih kecil dan konsumsi daya yang lebih sedikit, chip 8Gb DDR4-3200 terbaru ini juga memiliki dua peningkatan yang cukup penting yaitu skema 4-Phase clocking dan teknologi Sense Amplifier Control.
4-Phase Clocking meningkatkan kekuatan sinyal untuk menjaga stabilitas pada transfer data kecepatan tinggi. Sedangkan, Sense Amplifier Control menurunkan kemungkinan data yang error ketika chip ini memiliki ukuran transistor yang lebih kecil.
Perangkat DRAM generasi kedua dari SK Hynix ini adalah memori chip pertama yang memiliki quad-phase clocking. Sementara SK Hynix secara konservatif memberikan kecepatan chip baru ini di DDR4-3200. Quad-phase clocking berpotensi mengaktifkan kemampuan overclocking yang lebih tinggi.
Editor: Steven Irwandi
