Minggu ini, Micron mengumumkan dimulainya produksi massal untuk perangkat memori LPDDR4X dengan menggunakan teknologi fabrikasi 10 nm generasi kedua. Memori baru ini menawarkan data transfer LPDD4X standar hingga 4,266 Gbps dan mengkonsumsi daya lebih rendah dibandingkan pendahulunya.
Seperti dikutip dari Anandtech, memori LPDDR4X terbaru dari Micron dibuat dari teknologi fabrikasi 1Y nm dan menawarkan kapasitas 12 Gb. Micron mengklaim bahwa chip memori LPDDR4X ini memiliki konsumsi daya 10% lebih rendah jika dibandingkan produk LPDDR4-4266. Hal tersebut dapat dicapai berkat tegangan output I/O VDDQ yang lebih rendah, dimana LPDDR4X memiliki tegangan di angka 0,6 V dari 1,1 V di LPDDR4.
Micron 12 Gb (1,5 GB) LPDDR4X memiliki kapasitas yang lebih rendah daripada LPDDR4X dari manufaktur lain. Manufaktur lain pada umumnya memiliki ukuran 16 Gb (2 GB). Akan tetapi LPDDR4X dari Micron ini memiliki biaya produksi yang lebih rendah. Oleh karena itu, perusahaan ini dapat menawarkan paket quad-die 64-bit LPDDR4X-4266 48 Gb (6 GB) dengan harga yang lebih murah daripada produsen lain.
DRAM LPDDR4X 12 Gb adalah produk pertama dari Micron yang diproduksi menggunakan teknologi fabrikasi 10 nm generasi kedua. Jadi akan ada produk-produk memori lain dari Micro yang akan menerapkan teknologi ini. Perangkat-perangkat seperti DRAM dan NAND Flash yang menggunakan teknologi yang sama akan memiliki konsumsi daya lebih rendah dan potensi frekuensi lebih tinggi jika dibandingkan dengan produk-produk Micron yang lain.
Belum ada informasi siapa mitra pertamanya yang memesan memori ini. Namun kemungkinan besar bahwa DRAM ini akan ditujukan untuk perangkat mobile kelas entry-level hingga menengah.
Editor: Steven Irwandi
