Jakarta, 2 Juli 2018 – Setelah suksesnya Intel dengan 14 nm pada Skylake, Kabylake, dan Coffelake, Intel kembali memperkenalkan fabrikasi 10 nm FinFET yang ternyata datang lebih lambat daripada yang diperkirakan oleh beberapa media di luar. Akan tetapi jika fabrikasi ini sudah datang, maka 10 nm ini akan memberikan dampak yang sangat besar untuk Intel, menurut laporan teknikal dari Tech Insight. Para peneliti mengambil die dari Intel Core i3-8121U “Cannon Lake” di dalam Lenovo Ideapad 330 dan melihatnya dibawah mikroskop elektron.
Menurut ringkasan itu disebutkan beberapa detail yang menarik untuk fabrikasi 10 nm ini. Poin yang paling menarik adalah Intel mampu menyematkan transistor 2.7 kali lebih banyak dari 14 nm, sehingga secara teori, Intel dapat memasang 100.8 juta transistor setiap milimeter. Sehingga dengan teori ini, 127 mm2 die dapat memiliki 12.8 milliar transistor. Intel 10 nm node juga mengutilisasi teknologi FinFET generasi ketiga, dengan reduksi pada minimum gate pitch dari 70 nm menjadi 54 nm, dan minimum metal pitch dari 52 nm menjadi 36 nm. 10 nm juga melihat Intel memperkenalkan metalisasi kobal dalam lapisan massal dan substrat silikon. Cobalt yang di gabungkan akan menjadi alternatif yang sangat baik untuk tungsten dan tembaga untuk menjadi kontak antar layer, karena resistansi tembaga yang lebih kecil ketika ukurannya lebih kecil.
