Baru beberapa waktu belakang RAM DDR5 menjadi sebuah RAM yang mainstream dan umum dipakai di PC maupun laptop konvensional. Meskipun begitu samsung secara cepat telah memulai pengembangan RAM DDR6 berfrekuensi tinggi.
RAM DDR6 Samsung Akan Gunakan Fitur MSAP
Di salah satu event resmi Samsung yang diadakan di Suwon, Korea Selatan Vice President for Test & System Package (TSP) mengungkapkan bahwa riset di ranah memory harus jadi prioritas untuk peningkatan performa di masa depan.
Ia juga secara langsung mengkonfirmasi bahwa saat ini mereka sedang tahap pengembangan awal memory DDR6 yang didukung dengan teknologi yang bernama MSAP. Samsung sendiri menyebutkan bahwa teknologi MSAP telah digunakan oleh para pesaingnya yaitu SK Hynix & Micron.
Apa Itu Teknologi MSAP?
MSAP atau Modified Semi-Additive Process adalah sebuah teknologi yang memungkinkan produsen DRAM bisa membuat modul memory dengan sirkuit yang lebih tipis.
Hal ini bisa diperoleh dengan melapisi beberapa titik ruang kosong di PCB yang pada generasi sebelumnya sangat sulit untuk di akses. Penerapa MSAP sendiri membuat latensi makin rendah dan terciptanya kecepatan transfer lebih cepat.
Memori DDR6 generasi berikutnya ini tak hanya akan memanfaatkan MSAP untuk meningkatkan proses transfer data. Tetapi juga berdampak dengan peningkatan jumlah komponen aktif yang akan dimasukkan ke dalam memori DDR6 ini.
Menjadi Rencana Besar Samsung di 2024
Samsung sendiri mengharapkan bahwa memory DDR6-nya ini akan selesai pada tahun 2024. Tetapi penggunaan komersial diharapkan baru akan hadir setelah tahun 2025.
Dalam hal spesifikasi, memori DDR6 ini akan meningkat dua kali lebih cepat dari memori DDR5 yang ada. Dengan kecepatan transfer hingga 12.800 Mbps (JEDEC ) & kecepatan overclock melampaui kisaran 17.000 Mbps.
Saat ini, DIMM DDR5 Samsung tercepat memiliki kecepatan transfer hingga 7.200 Mbps sehingga merupakan peningkatan 1,7x di JEDEC. Serta peningkatan 2,36x dengan kecepatan overclock untuk chip memori generasi berikutnya.
Kesimpulan
Karena hal ini juga para produsen memori ingin memaksimalkan RAM DDR5 dengan frekuensi yang tinggi di masa mendatang. Karena mereka tak ingin terburu-buru seperti Samsung yang mengambil langkah berani untuk pengembangan RAM DDR6.
Para produsen seperti Hynix dan Micron mengharapkan modul memori DDR5 yang lebih cepat dan lebih optimal akan hadir di akhir tahun ini sebelum hadirnya platform DDR6.
Baca juga:
- Gigabyte Luncurkan Produk RAM Aorus Terbaru!
- Ryzen 7000 Series Akan Mendukung Kit Memory 5200MHz!
- G-Skill Umumkan Kit Memory ULL Terkencang di Dunia!
