SK Hynix, raksasa Korea Selatan, mengumumkan bahwa mereka telah secara resmi mulai memproduksi produk DRAM 1anm milik mereka. Teknologi yang mereka gunakan adalah teknologi litografi Ultraviolet Ekstrim (EUV).
Meski merupakan teknologi generasi terbaru, namun mereka tidak akan memproduksi sebuah perangkat baru. Mereka akan melakukan uji coba untuk membuat chip DRAM seluler 8Gb LPDDR4.
Berjalan pada kecepatan 4266Mbps, ini merupakan kecepatan tertinggi untuk standar LPDDR4. Chip yang didasarkan teknologi baru ini akan mencapai konsumsi daya hingga 20% lebih kecil jika dibandingkan dengan teknologi yang ada saat ino.
Untuk menunjukkan seberapa efektif proses 1anm, SK Hynix mengklaim bahwa EUV memungkinkannya untuk mendapatkan 25% lebih banyak chip pada wafer ukuran yang sama, yang berarti peningkatan kepadatan 25%.
Proses 1anm adalah iterasi keempat dari teknologi 10nm SK Hynix yang digunakan untuk pembuatan DRAM. Pendahulunya, termasuk proses 1x, 1y, dan 1z, semuanya didasarkan pada node 10nm yang disempurnakan.
Proses EUV 1anm yang baru telah menunjukkan stabilitas di bidang manufaktur, dan perusahaan berencana untuk menggunakannya untuk semua produknya di masa mendatang.
Meski produksi sudah dimulai saat ini, namun RAM baru ini akan mencapai pasar sekitar paruh kedua tahun 2021. Teknologi DRAM 1anm juga akan berlaku untuk produk DDR5 yang dibuat oleh SK Hynix mulai awal tahun depan.
SK Hynix juga mencatat bahwa produk tersebut membantu perusahaan mencapai tujuannya untuk mengurangi emisi karbon dioksida sebagai bagian dari komitmennya terhadap pengelolaan lingkungan, sosial dan tata kelola (ESG).
“Dengan peningkatan produktivitas dan daya saing biaya, DRAM 1anm terbaru tidak hanya akan membantu mengamankan profitabilitas tinggi, tetapi juga memperkuat status SK hynix sebagai perusahaan teknologi terkemuka dengan adopsi awal teknologi litografi EUV untuk produksi massal,” kata Cho Youngmann, Wakil Presiden di SK hynix.
