JAKARTA, PEMMZCHANNEL.com – Bukan suatu rahasia lagi jika Samsung menghindari menggunakan 64-layer V-NAND flash untuk QLC NAND mereka. Tapi sekarang, perusahaan ini merubah pendekatan dan akan mulai menawarkan SSD yang berbasis QLC dengan 96-layer V-NAND. Kelebihan dari 3D QLC NAND dibandingkan dari 3D TLC adalah 33% kepadatan penyimpanan lebih tinggi dan biaya per-bit yang lebih terjangkau.
Menurut Anandtech, kemungkinan Samsung akan mengimplementasi QLC 3D V-NAND ke pasar SSD client dengan kapasitas yang sangat besar dan tidak terlalu memerlukan kecepatan baca dan tulis yang luar biasa. Samsung juga sedang mengerjakan SSD U.2/SAS dengan kapasitas yang sangat besar dengan menggunakan QLC V-NAND. Drive-drive ini akan lebih dioptimisasi pada kecepatan read daripada write. NVMe berbasis QLC diharapkan akan memiliki 2500 MB/s untuk sequential read dipadu dengan 160K random read IOPS. Terbukti, SSD berkapasitas tinggi berbasis QLC seharusnya menggantikan beberapa 10K RPM hard drive yang bekerja dalam susunan RAID, jadi membandingkan kinerja SSD tunggal dengan HDD 2.4 TB mungkin tidak terlalu representatif, terutama ketika konsumsi daya diperhitungkan.
Lini produk Samsung yang akan menerapkan 3D QLC V-NAND adalah SSD untuk consumer dengan kapasitas diatas 1TB. Drive ini akan menggunakan antarmuka SATA dan akan menawarkan kinerja baca dan tulis sekuensial sekitar 520 MB / dtk (saat SLC menulis cache diaktifkan), sesuai dengan rincian yang diungkapkan Samsung di Forum SSD-nya. Samsung tidak mengungkapkan kapan SSD dengan QLC akan tersedia.
Samsung sendiri juga tidak berharap terlalu banyak jika QLC akan menggantikan TLC. Biaya untuk kontroller akan jauh lebih tinggi karena jumlah layer yang lebih banyak sehingga membutuhkan kekuatan proses yang tinggi pula.