Samsung telah secara resmi memulai produksi massal memori DDR5 generasi berikutnya yang akan dibuat pada node proses EUV 14nm. Memori akan ditujukan untuk server HPC & AI, menawarkan lebih dari dua kali kinerja memori DDR4.
Memori DDR5 Samsung Memasuki Produksi Massal: Node Proses EUV 14nm, Kecepatan 7200 Mbps & Kapasitas 768 GB
Menurut Samsung, node proses baru akan membantu memori DDR5 14nm Samsung untuk mencapai peningkatan kecepatan keseluruhan yang belum pernah terjadi sebelumnya. Saat ini, proses EUV 14nm akan mendorong kecepatan hingga 7,2 Gbps yang lebih dari dua kali kecepatan yang ditawarkan oleh DDR4 (3,2 Gbps).
Perusahaan telah mengumumkan bahwa mereka akan memperluas portofolio memori DDR5 14nm ke pusat data, superkomputer, dan aplikasi server perusahaan dengan opsi yang lebih padat berdasarkan IC DRAM 24Gb. Ini akan memungkinkan perusahaan untuk menskalakan memori DDR5 mereka dari kapasitas 512 GB – 1 TB menjadi kapasitas Dram 768 GB dan 1,5 TB.
Samsung Electronics, hari ini mengumumkan bahwa mereka telah mulai memproduksi massal DRAM terkecil di kelasnya, 14-nanometer (nm), berdasarkan teknologi ultraviolet ekstrim (EUV). Setelah pengiriman perusahaan EUV DRAM pertama di industri pada bulan Maret tahun lalu, Samsung telah meningkatkan jumlah lapisan EUV menjadi lima untuk memberikan proses DRAM terbaik dan tercanggih saat ini untuk solusi DDR5-nya.
Proses EUV lima lapis Samsung yang baru memungkinkan kepadatan bit DRAM tertinggi di industri, meningkatkan produktivitas sekitar 20%
Kami telah memimpin pasar DRAM selama hampir tiga dekade dengan memelopori inovasi teknologi pola utama, ”kata Jooyoung Lee, Wakil Presiden Senior dan Kepala DRAM Produk & Teknologi di Samsung Electronics. “Hari ini, Samsung menetapkan tonggak teknologi lain dengan EUV multi-layer yang telah memungkinkan miniaturisasi ekstrim pada 14nm — suatu prestasi yang tidak mungkin dilakukan dengan proses argon fluoride (ArF) konvensional. Berdasarkan kemajuan ini, kami akan terus memberikan solusi memori yang paling berbeda dengan sepenuhnya memenuhi kebutuhan akan kinerja dan kapasitas yang lebih besar di dunia berbasis data 5G, AI, dan metaverse.
Samsung
Karena DRAM terus turun ke rentang 10nm, teknologi EUV menjadi semakin penting untuk meningkatkan akurasi pola untuk kinerja yang lebih tinggi dan hasil yang lebih besar. Dengan menerapkan lima lapisan EUV ke DRAM 14nm, Samsung telah mencapai kepadatan bit tertinggi sekaligus meningkatkan produktivitas wafer secara keseluruhan sekitar 20%.
Selain itu, proses 14nm dapat membantu menurunkan konsumsi daya hingga hampir 20% dibandingkan dengan node DRAM generasi sebelumnya.
