Standar RAM saat ini mulai beralih ke era DDR5 yang membawa peningkatan kinerja yang cukup besar dibandingkan dengan DDR4. Namun, DDR dan relatif GDDR yang lebih cepat tidak terlalu cepat dibandingkan dengan standar HBM (memori bandwidth tinggi), yang menurut CEO SK Hynix Seok-Hee Lee, dapat menjadi dasar untuk penggabungan alami antara CPU dan RAM.
Di Simposium International Reliability Physics dari Internasional Institute of Electrical and Electronics Engineers, Seok-Hee Lee mempresentasikan visinya untuk standar memori yang lebih cepat yang akan membutuhkan “konvergensi memori dan logika.” Lee menyajikan evolusi yang lebih bertahap dimulai dengan HBM:
“Karena kecepatan ditingkatkan dalam memori bandwidth tinggi dengan meningkatkan jumlah saluran antara CPU dan memori, kecepatan akan meningkat lebih lanjut dalam Processing Near Memory (PNM), di mana CPU dan memori berada dalam satu modul. Kecepatan selanjutnya akan meningkat dalam Processing In Memory (PIM), di mana CPU dan memori berada dalam satu paket. Pada akhirnya, kecepatan akan meningkat lebih jauh dalam Computing in Memory (CIM), di mana CPU dan memori diintegrasikan dalam satu die, untuk menghasilkan sistem komputasi berkinerja tinggi,” katanya.
SK Hynix saat ini adalah pembuat memori terbesar kedua di dunia, tetapi tidak membuat chip jenis lain seperti CPU. Oleh karena itu, CEO Lee menyerukan kolaborasi antara raksasa semikonduktor untuk membentuk ekosistem yang dapat menopang CPU+RAM hybrid baru.
“Hanya dengan membangun kemitraan strategis untuk Inovasi Terbuka berdasarkan kolaborasi dan berbagi dengan pelanggan, pemasok, akademisi, dan pemerintah , kita bisa membentuk era baru, yang mengejar nilai ekonomi dan sosial.”
Lee juga mempresentasikan standar baru yang disebut Compute Express Link (CXL) yang dapat menggantikan PCIe. CXL mampu memindahkan data dengan cepat dan lebih efisien antara CPU dan akselerator grafik/komputasi atau antarmuka jaringan pintar.
“Memori CXL sedang dipersiapkan sebagai solusi yang tidak hanya memperluas bandwidth dan kapasitas tetapi juga menyadari nilai dari memori yang persisten. Sebuah solusi untuk mempersempit kesenjangan antara kinerja memori dan kebutuhan industri.”
Terakhir, Lee menyinggung upaya yang sedang dilakukan untuk meningkatkan chip memori NAND yang terintegrasi dalam solusi penyimpanan SSD. Dengan lompatan ke node 10 nm dan di bawahnya, SK Hynix pada akhirnya dapat menghasilkan chip NAND 600-lapis, yang seharusnya sangat meningkatkan kapasitas penyimpanan dan kecepatan transfer data di atas tutup 176-lapisan saat ini.
